FSBB30CH60F Mosfet 전력 모듈 사이리스터 다이오드 스마트 전력 모듈
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
FSBB30CH60F Mosfet 전력 모듈 사이리스터 다이오드 스마트 전력 모듈
특징
오우 UL 공인되 No.E209204 (SPM27-EA 패키지)
DBC를 사용하는 것 때문의 오우 매우 낮은 열 저항
오우 600V-30A 3은 게이트 드라이브와 보호를 위한 제어 ics를 포함하는 IGBT 인버터 브리지를 단계적으로 시행합니다
애플리케이션을 느끼는 인버터 전류를 위한 오우 양분된 부정적 DC 연결 단말기
짜맞춘 HVIC 때문의 오우 단일 근거가 있는 전원 공급기
2500Vrms/min의 오우 차단 평가.
애플리케이션
소전력 ac 모터 드라이브을 요구하는 오우 AC 100V ~ 253V 3상 역변환기 드라이브
에어컨과 세탁기와 같은 오우 가전 제품류 적용.
일반 설명
It is an advanced smart power module (SPMTM) that Fairchild has newly developed and designed to provide very compact and high performance ac motor drives mainly targeting lowpower inverter-driven application like air conditioner and washing machine. It combines optimized circuit protection and drive matched to low-loss IGBTs. System reliability is further enhanced by the integrated under-voltage lock-out and shortcircuit protection. The high speed built-in HVIC provides optocoupler-less single-supply IGBT gate driving capability that further reduce the overall size of the inverter system design. Each phase current of inverter can be monitored separately due to the divided negative dc terminals.
통합된 전력 기능
3상 DC / 교류 전력 전환 (형태 3을 언급하세요)을 위한 오우 600V-30A IGBT 인버터
통합된 드라이브, 보호와 시스템 제어 기능
인버터 고전위측 IGBT를 위한 오우 :
게이트 드라이브 회로, 고전압은 바뀌는 고속 수준을 분리했습니다
제어 회로 하위 전압 (UV) 보호
인버터 로우-측 IGBT를 위한 오우 :
게이트 드라이브 회로, 쇼트 회로 보호 (SC)
공급 제어 회로 하위 전압 (UV) 보호
오우 결점 신호화 : UV 결점 (로우-측 공급)에 해당합니다
오우 입력 인터페이스 : 3.3/5V CMOS / 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 적합한, 슈미트 트리거 장치 입력
절대 최대 정격 (TJ = 25' Ｃ, 그렇지 않았다면 상세화됩니다지 않는다면)
인버터 부분
| 기호 | 매개 변수 | 상태 | 평가 | 유닛 |
| VPN | 공급 전압 | Ｐ NU, NV, NW 사이에 적용됩니다 | 450 | Ｖ |
| VPN(상승) | 공급 전압 (상승) | Ｐ NU, NV, NW 사이에 적용됩니다 | 500 | Ｖ |
| VCES | 컬렉터-이미터 전압 | 600 | Ｖ | |
| ± IC | 각각 IGBT 컬렉터전류 | TC = 25' Ｃ | 30 | A |
| ± ICP | 각각 IGBT 컬렉터전류 (성수기) | TC = 25' Ｃ, 1 부인 펄스폭 이하 | 60 | A |
| PC | 컬렉터 손실 | 하나의 칩 당 TC = 25' Ｃ | 103 | Ｗ |
| TJ | 작동 접합 온도 | (주기 1) | -20 ~ 125 | 'Ｃ |
기록 :
1. SPM 내에 통합된 파워 칩의 접합 최고온도 평가는 150' Ｃ (@TC ≤ 100' Ｃ) 입니다. 그러나, SPM의 안전한 운영을 보장하기 위해, 평균 접합 온도는 TJ(길) ≤ 125' Ｃ (@TC ≤ 100' Ｃ)로 제한되어야 합니다
핀 형상
내부 등가물은 / 출력 핀을 순회하고 입력합니다
주식 호가 (뜨거운 매도)
| 부품 번호. | 양 | 브랜드 | D/C | 패키지 |
| HD74LS139P | 6181 | 르네사스 | 11+ | 하락 |
| HD74LS240P | 5282 | 르네사스 | 14+ | DIP-20 |
| HD74LS245P | 9670 | 르네사스 | 16+ | 하락 |
| HD74LS273P | 5485 | 히다찌 | 13+ | DIP-20 |
| HD74LS32P-E | 11345 | 르네사스 | 16+ | DIP-14 |
| HD74LS85P | 8284 | 르네사스 | 14+ | 하락 |
| HD74LS86P | 12694 | 르네사스 | 14+ | DIP-14 |
| HDSP-F201-DE000 | 2694 | AVAGO | 12+ | 하락 |
| HEF4001BT | 25000 | 16+ | SOP-14 | |
| HEF40106BT | 47000 | 13+ | SOP | |
| HEF4011BT | 48000 | 16+ | SOP-14 | |
| HEF4013BP | 15250 | 94+ | DIP-14 | |
| HEF4016BT | 89000 | 16+ | SOP-15 | |
| HEF4017BT | 35000 | 16+ | SOP-16 | |
| HEF4051BP | 9941 | 12+ | DIP-16 | |
| HEF4071BP | 21072 | 12+ | 하락 | |
| HEF4071BT | 98000 | 16+ | SOP-14 | |
| HEF4094BP | 15321 | 10+ | DIP-16 | |
| HEF4538BT | 14627 | 16+ | SOP-16 | |
| HFA08TB60PBF | 11416 | 비샤이 | 15+ | TO-220 |
| HFBR-1312TZ | 499 | AVAGO | 15+ | 원형 |
| HFBR-1414TZ | 2747 | AVAGO | 16+ | 지퍼 |
| HFBR-1521Z | 2381 | AVAGO | 15+ | 지퍼 |
| HFBR-2316TZ | 472 | AVAGO | 15+ | 하락 |
| HFBR-2521Z | 2432 | AVAGO | 15+ | 지퍼 |
| HFJ11-1G11E-L12RL | 6864 | 원광 | 14+ | RJ45 |
| HGDEPT031A | 5862 | 알프스 | 09+ | SOT23PB |
| HGTG20N60A4D | 8766 | FSC | 14+ | TO-247 |
| HI1-5043-5 | 2403 | 해리스 | 01+ | DIP-16 |
| HIH-4000-004 | 1201 | 허니웰 | 15+ | 센서 |
FGL40N120ANDTU 40A 1200V 용접기 IGBT 단관식 NPT TO-264
FGA25N120ANTD TO-3P NPT 트렌치 IGBT 25A 1200V
HGTG11N120CND NPT GBT 안티 패러렐 초고속 다이오드 43A 1200V
IC BOM 서비스 전자 부품 40N60 IGBT 트랜지스터 FGH40N60 FGH40N60SMD
FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V 필드 스톱 IGBT 새로운 원형 IC
STK621-033N-E Mosfet 전력 모듈 하이브리드 인버터 회로 SIP은 매우 만들었습니다
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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FGL40N120ANDTU 40A 1200V 용접기 IGBT 단관식 NPT TO-264 |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W Through Hole TO-264-3
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FGA25N120ANTD TO-3P NPT 트렌치 IGBT 25A 1200V |
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
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HGTG11N120CND NPT GBT 안티 패러렐 초고속 다이오드 43A 1200V |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
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IC BOM 서비스 전자 부품 40N60 IGBT 트랜지스터 FGH40N60 FGH40N60SMD |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 349 W Through Hole TO-247-3
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FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V 필드 스톱 IGBT 새로운 원형 IC |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
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STK621-033N-E Mosfet 전력 모듈 하이브리드 인버터 회로 SIP은 매우 만들었습니다 |
Half Bridge (3) Driver AC Motors IGBT 23-SIP
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