필터
필터
플래쉬 메모리 IC 칩
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
새로운 IS42S16400F-7TLI 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 64Mbit 대비 143 마하즈 5.4 나노 초 54 TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
새로운 IS42S16400F-6TL 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 64Mbit 병렬 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
새로운 IS42S16160D-6TL 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 256Mbit 병렬 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
새로운 IS42S16400F-7TL 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 64Mbit 대비 143 마하즈 5.4 나노 초 54 TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
새로운 IS42S16100C1-7TLI 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 16Mbit 대비 143 마하즈 5.5 나노 초 50 TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
새로운 IS42S16100C1-7TL 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 16Mbit 대비 143 마하즈 5.5 나노 초 50 TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
새로운 IS41LV16100B-50TL 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM - 에도 메모리용 IC 16Mbit 대비 25 나노 초 44 TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
새로운 IS62WV12816BLL-55TLI 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SRAM - 비동시성 메모리 IC 2Mbit 대비 55 나노 초 44 TSOP II
|
통합 실리콘 솔루션
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-25 그것 :새로운 비 D9PLG 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리용 IC 576Mbit 대비 400 마하즈 20 나노 초 144-uBGA (18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-25 :새로운 비 D9MXP 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리용 IC 576Mbit 대비 400 마하즈 20 나노 초 144-uBGA (18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48H32M16LFB4-75 그것 :새로운 Ｃ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM - 모바일 LPSDR 메모리용 IC 512Mbit 대비 133 마하즈 5.4 나노 초 54 VFBGA (8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 MT49H8M36FM-33 TR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리 IC 288Mbit 병렬 300MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 128Mbit 병렬 133MHz 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 그것 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM - 모바일 LPSDR 메모리 IC 128Mbit 병렬 125MHz 7ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H16M18CBM-25 그것 :새로운 비 D9NCK IC 메모리 칩과 원종축 |
DRAM 메모리용 IC 288Mbit 대비 400 마하즈 20 나노 초 144-uBGA (18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16LFF4-8 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM - 모바일 LPSDR 메모리 IC 128Mbit 병렬 125MHz 7ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 MT49H8M36BM-33 TR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리용 IC 288Mbit 대비 300 마하즈 20 나노 초 144-uBGA (18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 MT49H16M36BM-25IT 비 플래시 메모리 칩과 원종축 |
DRAM 메모리용 IC 576Mbit 대비 400 마하즈 20 나노 초 144-uBGA (18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 24LC16BT-I/SN 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM 메모리 IC 16Kbit I²C 400kHz 900ns 8-SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 25LC1024-I/SM 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
EEPROM 메모리 IC 1Mbit SPI 20MHz 8-SOIJ
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 MT49H8M36BM-18 비 D9NCT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리 IC 288Mbit 병렬 533MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-25 :새로운 비 D9MXP 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리용 IC 576Mbit 대비 400 마하즈 20 나노 초 144-uBGA (18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H32M18CBM-18 :새로운 B(D9PPD)와 원종축 |
DRAM 메모리 IC 576Mbit 병렬 533MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H16M18BM-25 그것 :새로운 비 D9NCG 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리 IC 288Mbit 병렬 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H16M36BM-18 그것 :새로운 비 D9PJN 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리 IC 576Mbit 병렬 533MHz 15ns 144-μBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36FM-25 :새로운 비 D9NCW 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리 IC 288Mbit 병렬 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36BM-33 그것 :새로운 비 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리 IC 288Mbit 병렬 300MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT45W2MW16BGB-701 그것은 새로운 메모리용 IC과 원종축을 번쩍입니다 |
PSRAM(의사 SRAM) 메모리 IC 32Mbit 병렬 70ns 54-VFBGA(6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT45W1MW16PDGA-70 그것 새로운 TR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
PSRAM(유사 SRAM) 메모리 IC 16Mbit 병렬 70ns 48-VFBGA(6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M8A2BB-75 그것 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 128Mbit 병렬 133MHz 5.4ns 60-FBGA(8x16)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48V8M16LFB4-8 그것 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM - 모바일 LPSDR 메모리 IC 128Mbit 병렬 125MHz 7ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75 그것 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 128Mbit 병렬 133MHz 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16LFB4-8 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM - 모바일 LPSDR 메모리 IC 128Mbit 병렬 125MHz 7ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-75 그것 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 128Mbit 병렬 133MHz 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2B4-6A :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 256Mbit 대비 167 마하즈 5.4 나노 초 54 VFBGA (8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2B4-75 그것 :새로운 Ｇ TR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 64Mbit 병렬 133MHz 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16LFF4-8 그것 :새로운 Ｇ 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM - 모바일 LPSDR 메모리 IC 128Mbit 병렬 125MHz 7ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2F4-75 그것 :새로운 Ｇ TR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
SDRAM 메모리 IC 128Mbit 병렬 133MHz 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT49H8M36BM-25 :새로운 비 D9NCR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
DRAM 메모리 IC 288Mbit 병렬 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT29C2G24MAAAAHAMD-5 새롭게 그것과 원형은 비축합니다 |
플래시 - NAND, 모바일 LPDRAM 메모리 IC 2Gbit(NAND), 1Gbit(LPDRAM) 병렬 200MHz 130-VFBGA(8x9)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MCU 32는 STM32F070F6P6 20 핀 TSSOP 32KB 플래시 2.4V 내지 3.6V를 물었습니다 |
ARM® Cortex®-M0 STM32F0 마이크로 컨트롤러 IC 32비트 단일 코어 48MHz 32KB(32K x 8) 플래시 20-TSSOP
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 SP485EEP-L 전자적 IC 칩과 원종축 |
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2FG-75 :새로운 Ｄ TR와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2B4-6A 그것 :새로운 Ｇ TR와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M32B2B5-6A AAT :새로운 Ｌ와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-6A :새로운 Ｊ와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-6A 그것 :새로운 Ｊ TR와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M16A2P-75 Ｌ :새로운 Ｃ TR와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
다음에 있는 MT48H16M16LFBF-75 :새로운 Ｇ TR와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2BB-6A :새로운 Ｇ와 원종축 |
|
마이크론
|
|
|