필터
필터
플래쉬 메모리 IC 칩
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
새로운 25LC256-E/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 24LC512-I/SM 전자적 IC 칩과 원종축 |
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 24LC32AT-I/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 24LC256T-I/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 24LC02B-I/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 23K256-I/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AD5339ARMZ 전자적 IC 칩과 원종축 |
12비트 디지털에서 아날로그 변환기 2 8-MSOP
|
아날로그 디바이스주
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C01BN-SH-T 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리 IC 1Kbit I²C 1MHz 550ns 8-SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C04A-10PC 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 4Kbit I2C 8-pdip
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C04BN-SP25-B 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 4Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C256BN-10SU-1.8 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 256Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C256BN-SH-T 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 256Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C02BN-SH-T 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 2Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C1024BN-SH-B 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 1Mbit I2C 8-soic
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C256C-SSHL-T 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 256Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C512C-SSHD-T 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 512Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT25128B-SSHL-T 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리 IC 128Kbit SPI 20MHz 8-SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 BQ2201SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
IC SRAM 논볼 CNTRLR 8-soic
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 BQ2022DBZRG4 전자적 IC 칩과 원종축 |
EPROM - OTP 메모리용 IC 1Kbit 단일 와이어 SOT-23-3
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 BQ2201PN 전자적 IC 칩과 원종축 |
IC SRAM 불휘발성 CNTRLR 8DIP
|
텍사스 인스트루먼트
|
|
|
|
|
|
새로운 25LC040-I/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 4Kbit SPI 2 마하즈 8-soic
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 93LC46B-I/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 1Kbit 마이크로와이어 2 마하즈 8-soic
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 93LC66B/P 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 4Kbit 마이크로와이어 2 마하즈 8-pdip
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 93LC66B-I/SN 전자적 IC 칩과 원종축 |
EEPROM 메모리 IC 4Kbit 마이크로와이어 2 MHz 8-SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 EPCQ64SI16N과 원종축 |
IC CONFIG 장치 64MBIT 16SOIC
|
인텔
|
|
|
|
|
|
새로운 FM24W256 G와 원종축 |
프람 (강유전체 RAM) 메모리용 IC 256Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
|
인피네온
|
|
|
|
|
|
새로운 EPM570T100C5N과 원종축 |
|
인텔
|
|
|
|
|
|
새로운 23K256-I/SN과 원종축 |
SRAM 메모리용 IC 256Kbit SPI 20 마하즈 8-soic
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 24LC32AT-I/SN과 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 32Kbit I2C 400 킬로 헤르츠 900 나노 초 8 SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 AT25DF081A-SSH-T와 원종축 |
플래시 메모리용 IC 8Mbit SPI 100 마하즈 8-soic
|
르네사스
|
|
|
|
|
|
새로운 AT24C512C-SSHD-T와 원종축 |
EEPROM 메모리용 IC 512Kbit I2C 1 마하즈 550 나노 초 8 SOIC
|
마이크로칩
|
|
|
|
|
|
새로운 TAJA225M016RNJ 탄탈룸 축전기와 원종축 |
2.2 µF 성형 탄탈륨 커패시터 16 V 1206(3216 미터법) 6.5옴
|
쿄세라 AVX
|
|
|
|
|
|
새로운 GRM033R70J122KA01D와 원종축 |
1500 pF ±10% 6.3V 세라믹 콘덴서 X7R 0201 (0603 측정)
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
새로운 GRM0335C1E6R2DA01D와 원종축 |
6.2 pF ±0.5pF 25V 세라믹 콘덴서 C0G, NP0 0201 (0603 측정)
|
제조업자
|
|
|
|
|
|
MT47H32M16NF-187E :새로운 H와 원종축 |
SDRAM - DDR2 메모리용 IC 512Mbit 대비 533 마하즈 350 추신 84 에프비지에이 (8x12.5)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 PZ28F032M29EWBA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 32Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 PZ28F032M29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 32Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 PZ28F064M29EWBA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 PZ28F064M29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 PZ28F064M29EWTA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F00AM29EWLA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 1Gbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 PZ28F064M29EWLA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F00AM29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 1Gbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F00BM29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 2Gbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F128J3F75B TR와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 75ns 64-EasyBGA(10x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F128M29EWHF와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 128Mbit 대비 60 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F128P30BF65A와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 52MHz 65ns 64-EasyBGA(10x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F128P30TF65A와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 52MHz 65ns 64-EasyBGA(10x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F128P33TF60A와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 52MHz 60ns 64-EasyBGA(10x13)
|
마이크론
|
|
|
|
|
|
새로운 RC28F256M29EWLA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 256Mbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
|
마이크론
|
|
|

