필터
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플래쉬 메모리 IC 칩
| 이미지 | 부분 # | 기술 | 제조 업체 | 주식 | 가격 요구 | |
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새로운 GRM0335C1E6R2DA01D와 원종축 |
6.2 pF ±0.5pF 25V 세라믹 콘덴서 C0G, NP0 0201 (0603 측정)
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제조업자
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MT47H32M16NF-187E :새로운 Ｈ와 원종축 |
SDRAM - DDR2 메모리용 IC 512Mbit 대비 533 마하즈 350 추신 84 에프비지에이 (8x12.5)
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마이크론
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새로운 PZ28F032M29EWBA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 32Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
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마이크론
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새로운 PZ28F032M29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 32Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
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마이크론
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새로운 PZ28F064M29EWBA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
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마이크론
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새로운 PZ28F064M29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
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마이크론
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새로운 PZ28F064M29EWTA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
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마이크론
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새로운 RC28F00AM29EWLA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 1Gbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
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마이크론
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새로운 PZ28F064M29EWLA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 64Mbit 대비 60 나노 초 48 BGA (6x8)
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마이크론
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새로운 RC28F00AM29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 1Gbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
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마이크론
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새로운 RC28F00BM29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 2Gbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
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마이크론
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새로운 RC28F128J3F75B TR와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 75ns 64-EasyBGA(10x13)
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마이크론
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새로운 RC28F128M29EWHF와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 128Mbit 대비 60 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
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마이크론
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새로운 RC28F128P30BF65A와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 52MHz 65ns 64-EasyBGA(10x13)
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마이크론
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새로운 RC28F128P30TF65A와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 52MHz 65ns 64-EasyBGA(10x13)
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마이크론
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새로운 RC28F128P33TF60A와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 128Mbit 병렬 52MHz 60ns 64-EasyBGA(10x13)
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마이크론
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새로운 RC28F256M29EWLA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 256Mbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
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마이크론
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새로운 RC28F256M29EWHA와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 256Mbit 대비 100 나노 초 64 에프비지에이 (11x13)
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마이크론
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새로운 RC28F320J3D75A와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리용 IC 32Mbit 대비 75 나노 초 64-EasyBGA (10x13)
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마이크론
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새로운 S34ML08G201TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 8Gbit 평행한 48-TSOP I
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제조업자
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새로운 S34ML08G101TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 8Gbit 평행한 48-TSOP I
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제조업자
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새로운 S34ML04G200TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 4Gbit 평행한 48-tsop
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제조업자
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새로운 S34ML04G200BHI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 4Gbit 평행한 63-bga (11x9)
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제조업자
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새로운 S34ML04G100TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 4Gbit 평행한 48-tsop
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제조업자
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새로운 S34ML02G200TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 2Gbit 평행한 48-tsop
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제조업자
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새로운 S34ML02G100BHI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 2Gbit 평행한 63-bga (11x9)
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제조업자
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새로운 S34ML01G200TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 1Gbit 평행한 48-tsop
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제조업자
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새로운 S34ML02G100TFI00과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 2Gbit 평행한 48-tsop
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제조업자
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새로운 S34ML01G100TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 1Gbit 평행한 48-tsop
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제조업자
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새로운 S34ML02G200BHI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 2Gbit 평행한 63-bga (11x9)
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제조업자
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새로운 S34ML02G100TFI000과 원종축 |
플래시 - NAND 메모리용 IC 2Gbit 평행한 48-tsop
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제조업자
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새로운 S29JL032J70TFI320과 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 32Mbit 병렬 70ns 48-TSOP
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인피네온
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새로운 RC28F256P30TFF TR와 원종축 |
플래시 - NOR 메모리 IC 256Mbit 병렬 52MHz 100ns 64-EasyBGA(10x13)
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마이크론
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새로운 W9725G6KB-25와 원종축 |
SDRAM - DDR2 메모리용 IC 256Mbit 대비 400 마하즈 57.5 나노 초 84 WBGA (8x12.5)
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제조업자
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새로운 W9751G6KB-25와 원종축 |
SDRAM - DDR2 메모리용 IC 512Mbit 대비 400 마하즈 57.5 나노 초 84 WBGA (8x12.5)
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제조업자
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새로운 W9812G6JH-6I와 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 128Mbit 대비 166 마하즈 5 나노 초 54 TSOP II
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제조업자
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새로운 W9812G6KH-6과 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 128Mbit 대비 166 마하즈 5 나노 초 54 TSOP II
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제조업자
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새로운 W9825G6KH-6과 원종축 |
SDRAM 메모리용 IC 256Mbit 대비 166 마하즈 5 나노 초 54 TSOP II
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제조업자
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ADUC842BSZ62-5 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADUC812BSZ 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADUC7061BCPZ32 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADT75BRMZ 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADT75ARZ 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADT75ARMZ 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADT7310TRZ 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADT4-1T 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADT1-1WT+ 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADSP-TS201SYBPZ050 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADSP-TS201SABPZ060 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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ADSP-21065LKSZ-240 새로운 전자적 IC 칩과 원종축 |
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